Hægt er að skipta hálfleiðara þrýstingsskynjara í tvo flokka, einn er byggður á meginreglunni að I-υ einkenni hálfleiðara PN Junction (eða Schottky Junction) breytist undir streitu. Árangur þessa þrýstingsnæmra þáttar er mjög óstöðugur og hefur ekki verið mjög þróaður. Hitt er skynjarinn byggður á hálfleiðara piezoresistive áhrifum, sem er helsta fjölbreytni hálfleiðara þrýstingsskynjari. Í árdaga voru hálfleiðandi stofnmælingar að mestu leyti festar við teygjanlegar þættir til að gera ýmis streitu og álagsmælitæki. Á sjöunda áratugnum, með þróun hálfleiðara samþættra hringrásartækni, birtist hálfleiðari þrýstingskynjari með dreifingarviðnám sem piezoresistive frumefni. Þessi tegund þrýstingsskynjari hefur einfalda og áreiðanlega uppbyggingu, engir hlutfallslegir hreyfingarhlutar og þrýstingnæmir frumefni og teygjanlegt frumefni skynjarans eru samþættir, sem forðast vélrænan töf og skríða og bætir afköst skynjarans.

Piezoresistive áhrif hálfleiðara hálfleiðara hafa einkenni sem tengjast utanaðkomandi krafti, það er að segja viðnám (táknað með tákni ρ) breytingum með streitu sem það ber, sem er kallað piezoresistive áhrif. Hlutfallsleg breyting á viðnám undir verkun einingaálags er kölluð piezoresistive stuðull, sem er tjáð með tákninu π. Tjáð stærðfræðilega sem ρ/ρ = π σ.

Þar sem σ táknar streitu. Breyting á viðnámsgildi (R/R) af völdum hálfleiðara viðnáms undir álagi ræðst aðallega af viðnámsbreytingu, þannig að einnig er hægt að skrifa tjáningu á piezoresistive áhrifum sem R/R = πσ.

Undir verkun ytri krafts myndast ákveðið streita (σ) og stofn (ε) í hálfleiðara kristöllum og sambandið á milli þeirra ræðst af stuðul Youngs (Y) efnisins, það er, y = σ/ε.

Ef piezoresistive áhrifin eru tjáð með álaginu á hálfleiðaranum, þá er það r/r = gε.

G er kallað næmisstuðull þrýstingskynjara, sem táknar hlutfallslega breytingu á viðnámsgildi undir einingarstofni.

Piezoresistive stuðull eða næmisstuðull er grundvallar líkamlega færibreytur hálfleiðara piezoresistive áhrif. Sambandið á milli þeirra, rétt eins og sambandið milli streitu og álags, ræðst af stuðulinum á efninu, það er G = π y.

Vegna anisotropy hálfleiðara kristalla í mýkt, stuðul Young og piezoresistive stuðulbreytingu með kristalstefnu. Stærð hálfleiðara piezoresistive áhrif er einnig nátengd viðnám hálfleiðara. Því lægra sem viðnám er, því minni er næmisstuðullinn. Piezoresistive áhrif dreifingarviðnáms eru ákvörðuð með kristalstefnu og óhreinleika styrk dreifingarþols. Óhreinleiki styrkur vísar aðallega til yfirborðs óhreininda styrk dreifingarlagsins.