Hægt er að skipta hálfleiðurum þrýstingsskynjara í tvo flokka, einn byggist á þeirri meginreglu að I-υ eiginleikar PN-móta hálfleiðara (eða schottky-móts) breytast við álag.Frammistaða þessa þrýstinæma þáttar er mjög óstöðug og hefur ekki verið mjög þróað.Hinn er skynjarinn sem byggir á hálfleiðara piezoresistive áhrifum, sem er aðal fjölbreytni hálfleiðara þrýstingsskynjara.Í árdaga voru álagsmælir fyrir hálfleiðara aðallega festir við teygjanlega þætti til að búa til ýmis álags- og álagsmælitæki.Á sjöunda áratugnum, með þróun hálfleiðara samþættrar hringrásartækni, birtist hálfleiðaraþrýstingsnemi með dreifingarviðnám sem piezoresistive frumefni.Þessi tegund af þrýstiskynjara hefur einfalda og áreiðanlega uppbyggingu, enga hlutfallslega hreyfanlega hluta, og þrýstinæmur þáttur og teygjanlegur þáttur skynjarans eru samþættir, sem forðast vélræna töf og skrið og bætir afköst skynjarans.

Piezoresistive áhrif hálfleiðara Hálfleiðari hefur einkenni sem tengist ytri krafti, það er að segja að viðnám (sem táknað með tákni ρ) breytist með álaginu sem það ber, sem kallast piezoresistive effect.Hlutfallsleg breyting á viðnám við virkni einingaálags er kölluð piezoresistive stuðull, sem er gefinn upp með tákninu π.Gefin upp stærðfræðilega sem ρ/ρ = π σ.

Þar sem σ táknar streitu.Breyting á viðnámsgildi (R/R) af völdum hálfleiðaraviðnáms undir streitu er aðallega ákvörðuð af breytingu á viðnám, þannig að tjáningu piezoresistive áhrifa er einnig hægt að skrifa sem R/R=πσ.

Við virkni utanaðkomandi krafts myndast ákveðin streita (σ) og tognun (ε) í hálfleiðarakristöllum og tengslin þar á milli ræðst af stuðli Young (Y) efnisins, það er Y=σ/ε.

Ef piezoresistive áhrifin eru gefin upp með álagi á hálfleiðarann ​​er það R/R=Gε.

G er kallaður næmisstuðull þrýstiskynjara, sem táknar hlutfallslega breytingu á viðnámsgildi við einingaálag.

Piezoresistive stuðull eða næmni þáttur er grunn eðlisfræðileg breytu hálfleiðara piezoresistive áhrif.Sambandið á milli þeirra, rétt eins og sambandið milli streitu og álags, ræðst af stuðlinum Youngs efnisins, það er g = π y.

Vegna anisotropy hálfleiðara kristalla í mýkt, breytist stuðull Young og piezoresistive stuðullinn með kristalstefnu.Stærð piezoresistive áhrif hálfleiðara er einnig nátengd viðnám hálfleiðara.Því lægra sem viðnámið er, því minni er næmisstuðullinn.Piezoresistive áhrif dreifingarviðnáms eru ákvörðuð af kristalstefnu og óhreinindastyrk dreifingarþols.Styrkur óhreininda vísar aðallega til yfirborðsóhreinindastyrks dreifingarlagsins.